AP9435GH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9435GH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de AP9435GH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP9435GH datasheet

 ..1. Size:98K  ape
ap9435gh ap9435gj.pdf pdf_icon

AP9435GH

AP9435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20A G S Description G D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H) achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

 ..2. Size:880K  cn vbsemi
ap9435gh.pdf pdf_icon

AP9435GH

AP9435GH www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg Tested RoHS - 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.046 at VGS = - 4.5 V - 21 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch S TO-252 G G D S D Top View P-Ch

 7.1. Size:169K  ape
ap9435gm-hf.pdf pdf_icon

AP9435GH

AP9435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 50m D Fast Switching ID -5.3A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 7.2. Size:95K  ape
ap9435gp-hf.pdf pdf_icon

AP9435GH

AP9435GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID - 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

Otros transistores... AP9424GYT-HF, AP9430AGYT-HF, AP9430GH-HF, AP9430GYT-HF, AP9431GH-HF, AP9432GYT-HF, AP9434GM-HF, AP9435GG-HF, IRF530, AP9435GJ, AP9435GK-HF, AP9435GM-HF, AP9435GP, AP9440GYT-HF, AP9450GYT-HF, AP9451GG-HF, AP9452AGG-HF