AP9440GYT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9440GYT-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de AP9440GYT-HF MOSFET
AP9440GYT-HF Datasheet (PDF)
ap9440gyt-hf.pdf

AP9440GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 23.4AGSDDDescriptionDAP9440 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the lowest possible o
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History: MSK7D5N60T | MSK4D5N60F | IPA65R660CFD | P0403BVG | MSF9N90 | SWP8N65D | MSK1N3
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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