AP9440GYT-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9440GYT-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: PMPAK3X3

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AP9440GYT-HF datasheet

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AP9440GYT-HF

AP9440GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 23.4A G S D D Description D AP9440 series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the lowest possible o

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