AP9465GEM Todos los transistores

 

AP9465GEM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9465GEM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AP9465GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  ape
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AP9465GEM

AP9465GEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 25mDD Low On-resistance ID 7.8AGSS S SO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerGwith the best combination of fast switching,ruggedized device

 8.1. Size:97K  ape
ap9465agh ap9465agj.pdf pdf_icon

AP9465GEM

AP9465AGH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 32m Fast Switching Characteristic G ID 15ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device des

 8.2. Size:97K  ape
ap9465bgh ap9465bgj.pdf pdf_icon

AP9465GEM

AP9465BGH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 32m Fast Switching Characteristic G ID 20ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device des

 9.1. Size:234K  ape
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AP9465GEM

AP9467AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9467A series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the

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History: IRFP260MPBF | FQPF8N60CYDTU | BUK7K12-60E | MCP07N65 | UPA2763 | UT3N06G-AB3-R | PJS6600

 

 
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