AP95T06BGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP95T06BGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP95T06BGP

AP95T06BGP Datasheet (PDF)

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ap95t06bgp.pdf

AP95T06BGPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,Glow on-resista

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ap95t06gp.pdf

AP95T06GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP95T06 series are from Advanced Power inno

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ap95t06gs p-hf.pdf

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ap95t06gs.pdf

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ap95t06agp.pdf

AP95T06AGPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resis

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