AP95U03GMT-HF Todos los transistores

 

AP95U03GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP95U03GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP95U03GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
 ap95u03gmt-hf.pdf pdf_icon

AP95U03GMT-HF

AP95U03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 4m Low On-resistance ID 90AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,ruggediz

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History: TPA65R180D | FDB0260N1007L | IRLI3803PBF | DMN2020LSN | STP60NF06LFP | SQ4532AEY

 

 
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