AP9620AGM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9620AGM-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9620AGM-HF
AP9620AGM-HF Datasheet (PDF)
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History: FDP19N40
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