AP9870GH-HF Todos los transistores

 

AP9870GH-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9870GH-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AP9870GH-HF Datasheet (PDF)

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AP9870GH-HF

AP9870GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Fast Switching Characteristic ID 18AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DSTO

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AP9870GH-HF

AP9870GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Fast Switching Characteristic ID 18AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9870 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest pos

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AP9870GH-HF

AP9871GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 72m Fast Switching Characteristic ID 9.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DST

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History: HM4826 | SW2N10

 

 
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