AP9922AGEO-HF Todos los transistores

 

AP9922AGEO-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9922AGEO-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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AP9922AGEO-HF Datasheet (PDF)

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AP9922AGEO-HF

AP9922AGEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 Low On-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 18mG1S1 Optimal DC/DC Battery Application S1 ID 6ATSSOP-8D1 Halogen Free & RoHS Compliant ProductDescriptionD1 D2AP9922A series are from Advanced Power innovated des

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AP9922AGEO-HF

AP9922GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low on-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 16mG1S1 Optimal DC/DC Battery Application S1 ID 6.4ATSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner wi

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AP9922AGEO-HF

AP9922GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low on-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 16mG1S1S1 Optimal DC/DC Battery Application ID 6.4ATSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner wi

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AP9922AGEO-HF

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

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History: APM4925K | NCEP018N60D

 

 
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