AP9930GM-HF Todos los transistores

 

AP9930GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9930GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5(4.1) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10(7.7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 229.8(80) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033(0.055) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AP9930GM-HF Datasheet (PDF)

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AP9930GM-HF

AP9930GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive RequirementP2G Low On-resistance N-CH BVDSS 30VN2D/P2D Full Bridge Application on RDS(ON) 33mP1S/P2SP1GLCD Monitor Inverter ID 5.5AN2GN1S/N2S RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VN1D/P1DN1GSO-8RDS(ON) 55mDescription ID -4.1A

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AP9930GM-HF

AP9930AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive RequirementP2G Low On-resistance N-CH BVDSS 30VN2D/P2D Full Bridge Application on RDS(ON) 35mP1S/P2SP1GLCD Monitor Inverter ID 5.2AN2GN1S/N2S RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VN1D/P1DN1GSO-8RDS(ON) 72mDescription ID -3.5A

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AP9930GM-HF

AP9938GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9938 series are from Advanced Power innovated design andD1 D2silicon pr

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AP9930GM-HF

AP9936GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET DC-DC Application BVDSS 30VD2D2D1 Dual N-channel Device RDS(ON) 50mD1 Surface Mount Package ID 5AG2S2 RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

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History: FQT7N10TF | IRFP260MPBF | BUK7K12-60E | UT3N06G-AB3-R | FQPF8N60CYDTU | AP9465GEM | MCP07N65

 

 
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