AP9960GD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9960GD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9960GD

AP9960GD Datasheet (PDF)

..1. Size:72K ape
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AP9960GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching ID 42A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDrug

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AP9960GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID 42AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized d

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AP9960GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance D2 BVDSS 40VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 20mD1 Surface Mount Package ID 7.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2AP9960 series are from

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Liste

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