AP9960GM-HF Todos los transistores

 

AP9960GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9960GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9960GM-HF Datasheet (PDF)

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AP9960GM-HF

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AP9960GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance D2 BVDSS 40VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 20mD1 Surface Mount Package ID 7.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2AP9960 series are from

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AP9960GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching ID 42A GSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDrug

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AP9960GM-HF

AP9960GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID 42AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized d

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History: FDC86244 | FDWS9508L-F085 | INJ0312AC1 | IXTT30N60L2 | IRHN7250 | IRFU13N15D | 2SJ530STL

 

 
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