AP9963GP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9963GP-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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AP9963GP-HF Datasheet (PDF)
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AP9963GPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 80AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs APEC provide theAdvanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,
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AP9963GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low On-resistance RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 160AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, rugg
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AP9963GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low On-resistance RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 70AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs APEC provide theAdvanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide thedesigner w
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Liste
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