AP9974BGP Todos los transistores

 

AP9974BGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9974BGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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AP9974BGP Datasheet (PDF)

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AP9974BGP

AP9974GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 10.5m Fast Switching Performance ID 74AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSTO-252(H)designer with the best combination of fast swi

 8.2. Size:152K  ape
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AP9974GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9974 series are from Advanced Power innovated de

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History: BLS6G2731-120 | STY130NF20D | HUFA76429P3 | AOW15S60 | MIC94050YM4TR | SI1480DH | NTMFS4823NT1G

 

 
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