AP9974GS-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9974GS-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9974GS-HF

AP9974GS-HF Datasheet (PDF)

6.1. Size:98K ape
ap9974gs p-hf.pdf

AP9974GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized d

6.2. Size:76K ape
ap9974gs ap9974gp.pdf

AP9974GS/PPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 72AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DSTO-263(S)ruggedized device desi

6.3. Size:819K cn vbsemi
ap9974gs.pdf

AP9974GSwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Source

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: