AP9977GJ-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9977GJ-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 21 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9977GJ-HF

AP9977GJ-HF Datasheet (PDF)

..1. Size:101K ape
ap9977gh-hf ap9977gj-hf.pdf

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ap9977gm-hf.pdf

AP9977GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 100mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9977 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon process tech

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