2SK2674 Todos los transistores

 

2SK2674 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2674
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 63 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: MTO-3P
 

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2SK2674 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  shindengen
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2SK2674

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2674Case : MTO-3P(Unit : mm)( F7W90HVX2 )900V 7AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of AC

 8.1. Size:393K  toshiba
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2SK2674

2SK2679 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2679 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.84 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.4 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 400 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V

 8.2. Size:272K  shindengen
 2sk2676 f10w90hvx2.pdf pdf_icon

2SK2674

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2676Case : MTO-3P(Unit : mm)( F10W90HVX2 )900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of

 8.3. Size:434K  shindengen
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2SK2674

!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.

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