2N3821 Todos los transistores

 

2N3821 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3821

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 2 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-72_TO-206AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N3821

 

2N3821 Datasheet (PDF)

1.1. 2n3821 2n3822 2n3824.pdf Size:88K _central

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

1.2. 2n3821 2n3822.pdf Size:94K _interfet

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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-3 01/99 B-3 2N3821, 2N3822 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25?C ? VHF Amplifiers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V ? Small Signal Amplifiers Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Power Derating 2mW/C At 25C free air temperature: 2N382

 1.3. 2n3821 2n3822 2n3823.pdf Size:54K _microsemi

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TECHNICAL DATA N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE Qualified per MIL-PRF-19500/375 Devices Qualified Level JANTX 2N3821 2N3822 2N3823 JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3821 Parameters / Test Conditions Symbol 2N3822 2N3823 Unit Gate-Source Voltage VGSR 50 30 V Drain-Source Voltage V 50 30 V DS Drain-Gate Voltage V 50 30 V DG Gate Current I 10 mA GF TO-72* Power Dissipation T

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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