2N4220A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4220A
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-72
Búsqueda de reemplazo de 2N4220A MOSFET
2N4220A Datasheet (PDF)
2n4220-a 2n4221-a 2n4222-a.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-10B-10 01/992N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C MixersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 30 V OscillatorsContinuous Forward Gate Current 10 mA VHF AmplifiersContinuous Device Power Dissipation 300 mWPower Derating
Otros transistores... PN4118A , PN4119A , SST4117 , SST4118 , SST4119 , 2N4220 , 2N4221 , 2N4222 , IRF520 , 2N4221A , 2N4222A , 2N4223 , 2N4224 , 2N4338 , 2N4339 , 2N4340 , 2N4341 .
History: OSG60R070PT3ZF | IXTX170P10P | HGM046NE6AL | IXFH23N80Q | ME7620-G | OSG60R099FT3F | BUK9E06-55A
History: OSG60R070PT3ZF | IXTX170P10P | HGM046NE6AL | IXFH23N80Q | ME7620-G | OSG60R099FT3F | BUK9E06-55A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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