2N4221A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4221A
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO-72
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2N4221A datasheet
2n4220-a 2n4221-a 2n4222-a.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-10 B-10 01/99 2N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Mixers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 30 V Oscillators Continuous Forward Gate Current 10 mA VHF Amplifiers Continuous Device Power Dissipation 300 mW Power Derating
Otros transistores... PN4119A, SST4117, SST4118, SST4119, 2N4220, 2N4221, 2N4222, 2N4220A, AO3400A, 2N4222A, 2N4223, 2N4224, 2N4338, 2N4339, 2N4340, 2N4341, 2N4351
History: 2N4856A | 2N4119
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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