2N4867 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4867
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0012 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-72
- Selección de transistores por parámetros
2N4867 Datasheet (PDF)
2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf
Databook.fxp 1/14/99 12:00 PM Page B-1701/99 B-172N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 VGate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 300mWPower Derating 1.7 mW/CStorage Temperature Range 6
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n4863.pdf
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 2SK2797 | GSM2341 | RRL025P03 | WMB129N10T2 | 2SK2509 | BSS123A | QH8MA3
History: 2SK2797 | GSM2341 | RRL025P03 | WMB129N10T2 | 2SK2509 | BSS123A | QH8MA3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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