2N4867A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4867A 📄📄
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 2 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0012 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO-72
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Búsqueda de reemplazo de 2N4867A MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N4867A datasheet
2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf
Databook.fxp 1/14/99 12 00 PM Page B-17 01/99 B-17 2N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Audio Amplifiers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 V Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 300mW Power Derating 1.7 mW/ C Storage Temperature Range 6
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n4863.pdf
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HM609K | IXFP5N100P | APT94N65B2C3G | TK16J60W | HFH7N60
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Liste
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