2N4868A Todos los transistores

 

2N4868A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4868A

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 3 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.003 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-72

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N4868A

 

2N4868A Datasheet (PDF)

4.1. 2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf Size:63K _interfet

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Databook.fxp 1/14/99 12:00 PM Page B-17 01/99 B-17 2N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25?C ? Audio Amplifiers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 V Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 300mW Power Derating 1.7 mW/C Storage Temperature Range 65C to + 2

5.1. 2n4856-59 2n4860-61.pdf Size:278K _motorola

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5.2. 2n4863.pdf Size:68K _central

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TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 5.3. 2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf Size:82K _central

2N4868A

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

5.4. 2n4864.pdf Size:130K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N4864 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Continuous collector current-IC=2A ·High VCEO:120V (Min) APPLICATIONS ·For use in general-purpose switching and linear amplifier applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector ABS

Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
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