2N4868A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4868A
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-72
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N4868A
Principales características: 2N4868A
2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf
Databook.fxp 1/14/99 12 00 PM Page B-17 01/99 B-17 2N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Audio Amplifiers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 V Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 300mW Power Derating 1.7 mW/ C Storage Temperature Range 6
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n4863.pdf
TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com
Otros transistores... 2N4861 , 2N4859A , 2N4860A , 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 20N60 , 2N4869A , 2N5020 , 2N5021 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor

