2N4868A Todos los transistores

 

2N4868A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4868A
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-72
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N4868A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:63K  interfet
 2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf pdf_icon

2N4868A

Databook.fxp 1/14/99 12:00 PM Page B-1701/99 B-172N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 VGate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 300mWPower Derating 1.7 mW/CStorage Temperature Range 6

 9.1. Size:278K  motorola
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2N4868A

 9.2. Size:82K  central
 2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf pdf_icon

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. Size:68K  central
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2N4868A

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

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History: STP33N65M2 | STP55N06L

 

 
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