FRM240D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM240D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 264 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO204AA

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FRM240D datasheet

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FRM240D

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FRM240D

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM240 FEATURES 16A, 200V, RDS(on) = 0.24 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures

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FRM240D

FRM244D, FRM244R, FRM244H 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 250V, RDS(on) = 0.400 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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