2N5434 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5434
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-52 TO-206AC
Búsqueda de reemplazo de 2N5434 MOSFET
2N5434 Datasheet (PDF)
2n5432 2n5433 2n5434.pdf

2N5432/5433/5434Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)2N5432 4 to 10 5 10 2.52N5433 3 to 9 7 10 2.52N5434 1 to 4 10 10 2.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 2N5432
2n5430x.pdf

2N5430XDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250)Metal Package. 8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.Bipolar NPN Device. 1 2VCEO = 100V IC = 7A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec
2n5430.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5430 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE
Otros transistores... 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , 2N5397 , 2N5398 , 2N5432 , 2N5433 , IRFP250N , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 2N5457 , 2N5458 , 2N5459 , 2N5460 , 2N5461 .
History: LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688
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Liste
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