2N5516 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5516 📄📄
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 3.8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0075 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO-71
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2N5516 datasheet
Otros transistores... 2N5454, 2N5457, 2N5458, 2N5459, 2N5460, 2N5461, 2N5462, 2N5515, IRF9540N, 2N5517, 2N5518, 2N5519, 2N5520, 2N5521, 2N5522, 2N5523, 2N5524
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: 2N5517
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
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