2N5546 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5546
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.008 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: TO-71

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5546

2N5546 Datasheet (PDF)

9.1. Size:56K vishay
2n5545-7.pdf

2N5545/46/47/JANTX/JANTXVVishay SiliconixMonolithic N-Channel JFET DualsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 52N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 102N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Monolithic Design D Tight Differential Match

9.2. Size:51K crystaloncs
2n5543.pdf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: