2N5547 Todos los transistores

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2N5547 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5547

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.008 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-71

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2N5547 Datasheet (PDF)

5.1. 2n5545-7.pdf Size:56K _vishay

2N5547
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2N5545/46/47/JANTX/JANTXV Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 – VGS2j Max (mV) 2N5545 –0.5 to –4.5 –50 1.5 –50 5 2N5546 –0.5 to –4.5 –50 1.5 –50 10 2N5547 –0.5 to –4.5 –50 1.5 –50 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D Tight Differential Match vs

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