2N5547 Todos los transistores

 

2N5547 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5547
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.008 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-71
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5547 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:56K  vishay
 2n5545-7.pdf pdf_icon

2N5547

2N5545/46/47/JANTX/JANTXVVishay SiliconixMonolithic N-Channel JFET DualsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 52N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 102N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Monolithic Design D Tight Differential Match

 9.2. Size:51K  crystaloncs
 2n5543.pdf pdf_icon

2N5547

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRLR024Z | IRF624A | FQA12N60 | NCEP1290AK | CS10N60F | DMC2041UFDB | SMP40N10

 

 
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