2N5565 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5565

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 3 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm

Encapsulados: TO-71

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2N5565 datasheet

 ..1. Size:89K  vishay
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2N5565

2N5564/5565/5566 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV) 2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 5 2N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 10 2N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High

Otros transistores... 2N5522, 2N5523, 2N5524, 2N5545, 2N5546, 2N5547, 2N5555, 2N5564, 5N65, 2N5566, 2N5638, 2N5639, 2N5902, 2N5903, 2N5904, 2N5905, 2N5906