FRM244R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM244R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 258 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO204AA

 Búsqueda de reemplazo de FRM244R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FRM244R datasheet

 8.1. Size:47K  intersil
 frm244.pdf pdf_icon

FRM244R

FRM244D, FRM244R, FRM244H 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 250V, RDS(on) = 0.400 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:53K  intersil
 frm240.pdf pdf_icon

FRM244R

 9.2. Size:229K  inchange semiconductor
 frm240.pdf pdf_icon

FRM244R

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM240 FEATURES 16A, 200V, RDS(on) = 0.24 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures

Otros transistores... FRM234D, FRM234H, FRM234R, FRM240D, FRM240H, FRM240R, FRM244D, FRM244H, IRFB4227, FRM430D, FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R, FRM450D, FRM450H