FRM244R Todos los transistores

 

FRM244R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRM244R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 258 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AA
 

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FRM244R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:47K  intersil
 frm244.pdf pdf_icon

FRM244R

FRM244D, FRM244R,FRM244H12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 12A, 250V, RDS(on) = 0.400TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:53K  intersil
 frm240.pdf pdf_icon

FRM244R

FRM240D, FRM240R,FRM240H16A, 200V, 0.24 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 16A, 200V, RDS(on) = 0.24TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.2. Size:229K  inchange semiconductor
 frm240.pdf pdf_icon

FRM244R

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor FRM240FEATURES16A, 200V, RDS(on) = 0.24Second Generation Rad Hard MOSFET ResultsFrom New Design ConceptsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is specially designed and processed toexhibit minimal characteristic changes to total dose and neutronexposures

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