2N6806 Todos los transistores

 

2N6806 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6806

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-3

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2N6806 datasheet

 ..1. Size:149K  international rectifier
2n6806 irf9230.pdf pdf_icon

2N6806

PD - 90548C IRF9230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6806 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9230 -200V 0.80 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique p

 9.1. Size:197K  international rectifier
2n6802u.pdf pdf_icon

2N6806

PD - 91719B IRFE430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802U HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802U SURFACE MOUNT (LCC-18) [REF MIL-PRF-19500/557] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE430 500V 1.50 2.5A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged

 9.2. Size:149K  international rectifier
2n6804 irf9130.pdf pdf_icon

2N6806

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

 9.3. Size:130K  international rectifier
2n6800 irff330.pdf pdf_icon

2N6806

PD - 90432C IRFF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6800 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF330 400V 1.0 3.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

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