2N7288D Todos los transistores

 

2N7288D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7288D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.415 Ohm

Encapsulados: TO-257AA

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2N7288D datasheet

 0.1. Size:46K  harris semi
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2N7288D

2N7288D, 2N7288R S E M I C O N D U C T O R 2N7288H REGISTRATION PENDING Radiation Hardened Available as FRS244 (D, R, H) N-Channel Power MOSFETs November 1994 Features Package 9A, 250V, RDS(on) = 0.415 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si

 9.1. Size:177K  no
2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7288D

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

Otros transistores... 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 , 2N6453 , 2N6454 , 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 , 2N60 , 2N7288R , 2N7288H , BF246B , BF247A , BST100 , BST70A , BUZ326 , FJN598J .

 

 

 

 

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