FJN598J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJN598J
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de FJN598J MOSFET
FJN598J Datasheet (PDF)
fjn598j.pdf

FJN598JCapacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient CharacteristicTO-9211. Source 2. Gate 3. DrainSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate Current
Otros transistores... 2N7288D , 2N7288R , 2N7288H , BF246B , BF247A , BST100 , BST70A , BUZ326 , MMIS60R580P , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 .
History: PMZ290UN | STS8201 | ET2316 | IRLR8103VPBF | IXTH05N250P3HV | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5
History: PMZ290UN | STS8201 | ET2316 | IRLR8103VPBF | IXTH05N250P3HV | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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