PS0151 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PS0151
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 47 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS0151

PS0151 Datasheet (PDF)

0.1. Size:163K international rectifier
ips0151.pdf

Data Sheet No.PD60144-K( )IPS0151 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 35ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs t

0.2. Size:615K infineon
6ps01512e33g30863.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF150R12KE3GIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode IGBT- / IGBT,Inverter / Maximum Rated Values

0.3. Size:532K infineon
4ps01512s43g34512.pdf

Technical InformationPrimeSTACK4PS0150R12KS4-3GVVorlufige Datenpreliminary dataKey data2x 125A rms at 400V rms, forced air (fan not implemented)General informationStacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included.These are only technical data!Please read carefully the complete documentation and maintain the proper design envi

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History: 2SK2667 | DMN6066SSS

Liste

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