LS4119 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LS4119
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.0006 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Empaquetado / Estuche: TO-72
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LS4119
LS4119 Datasheet (PDF)
1.1. ls4117 ls4118 ls4119.pdf 
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LS4117, 4118, 4119 ULTRA-HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHANNEL JFET Linear Integrated Systems FEATURES LOW POWER IDSS<90 A (2N4117) MINIMUM CIRCUIT LOADING IGSS<1 pA (2N4117A Series) G Case ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) G D @ 25C (unless otherwise noted) 3 2 Gate-Source or Gate-Drain Voltage (NOTE 1) -40V 1 4 Gate-Current 50mA C Total Device Dissipation S S D (Derate 2mW/C to
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: IPP45N04S4L-08 | IPI45N04S4L-08 | IPP12CNE8NG | IPI12CNE8NG | IPD12CNE8NG | IPP08CNE8NG | IPI08CNE8NG | IPI06CN10NG | IPP054NE8NG | IPI05CNE8NG | IPP050N06NG | SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F |