P1086 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1086
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de P1086 MOSFET
P1086 Datasheet (PDF)
p1086.pdf

P1086P-Channel Switch This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 88.TO-92D S GAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage - 30 VVGS Gate-Source Voltage 30 VIGF Forward Gate Current 50 mATJ, TSTG Operating and St
Otros transistores... MMBF5485 , MMBF5486 , MMBFJ270 , MMBFJ271 , J309 , MMBFJ309 , MMBFJ310 , MPF102 , IRLB4132 , P1087 , STP11NB40 , STP11NB40FP , STP9NB50 , STP9NB50FP , PF5102 , PF5103 , PN4302 .
History: 2SK2375 | SI2323CDS-T1-GE3 | 2SK1700
History: 2SK2375 | SI2323CDS-T1-GE3 | 2SK1700



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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