VN66AFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN66AFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220SD
Búsqueda de reemplazo de VN66AFD MOSFET
VN66AFD Datasheet (PDF)
tn0601l vn0606l vn66afd.pdf
TN0601L, VN0606L, VN66AFDVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMO
Otros transistores... U309 , U310 , VN0610L , VN10KE , VN10KM , VN2222L , TN0601L , VN0606L , NCEP15T14 , 2SK2671 , 2SK2850-01 , 2SK2148-01R , 2SK740 , STK0765BF , SMK0160 , SMK0160D , SMK0160I .
History: SFG100N08PF | WSP4410 | OSG07N65FF | MTB09N06J3 | BRFL10N65 | HY3408AB | STB80NF55-08T4
History: SFG100N08PF | WSP4410 | OSG07N65FF | MTB09N06J3 | BRFL10N65 | HY3408AB | STB80NF55-08T4
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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