2SK2148-01R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2148-01R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Encapsulados: TO-3PF
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2SK2148-01R datasheet
2sk2148-01.pdf
N-channel MOS-FET 2SK2148-01 FAP-IIA Series 600V 0,75 12A 80W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equi
2sk2148-01.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2148-01 DESCRIPTION Drain Current I =12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Motor control UPS DC-DC converters General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAM
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History: ZXMS6004FFQ
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