SMK0160D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMK0160D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMK0160D

SMK0160D Datasheet (PDF)

..1. Size:489K auk
smk0160d.pdf

SMK0160DAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) D Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code S S SMK0160D SMK0160 TO-252TO-252 Marking Diagram SMK C

7.1. Size:533K auk
smk0160i.pdf

SMK0160IAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK0160I SMK0160 I-PAKI-PAK Marking Diagram SMK Colum

7.2. Size:537K auk
smk0160.pdf

SMK0160Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK0160 SMK0160 TO-92TO-92 Marking Diagram SMK Column 1,

7.3. Size:484K auk
smk0160is.pdf

SM 160ISMK01 S Advan ower MOSFEnced N-Ch Po ET SW NG REG OR APPLICATIOWITCHIN GULATO ON Feeatures Drain-Sour own voltage 0V (Min.) rce breakdo e: BVDSS=600 Low gate c .) charge: Qg=3.9nC (Typ. Low drain- 5 (Max.) -source On resistance: RDS(on)=11.5 100% avalaanche tested RoHS comp ce pliant devicOr nformatiordering In on G D S Part N

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Liste

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