SMK1360CI Todos los transistores

 

SMK1360CI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMK1360CI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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SMK1360CI Datasheet (PDF)

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SMK1360CI

SMK1360CIAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=14.6pF(Typ.) Low gate charge : Qg=41nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=0.65(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code D G S S SMK1360CI SMK1360 TO-3PTO-3P Marking Diagram Column 1

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SMK1360CI

SMK1360FDAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features BVDDS=600V (Min.) Low gate charge: Qg=41nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.65 (Max.) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SMK1360FD SMK1360 TO-220F-3L Marking Information Column

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SMK1360CI

SMK1350F Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage : BV =500V(Min.) DSS Low C : C =23pF(Typ.) rss rss Low gate charge : Qg=36nC(Typ.) Low R : R =0.48(Max.) DS(on) DS(on)G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SMK1350F SMK1350 TO-220F-3L Marking Information AUK = Manufacture Log

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History: IXTV230N085T | 2SK3274

 

 
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