FRM9230H Todos los transistores

 

FRM9230H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRM9230H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AA

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRM9230H

 

FRM9230H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:57K  intersil
frm9230.pdf

FRM9230H
FRM9230H

FRM9230D, FRM9230R,FRM9230H4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.30TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:47K  intersil
frm9240.pdf

FRM9230H
FRM9230H

FRM9240D, FRM9240R,FRM9240H7A, -200V, 0.720 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.720TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

 9.2. Size:49K  intersil
frm9250.pdf

FRM9230H
FRM9230H

FRM9250D, FRM9250R,FRM9250H16A, -200V, 0.300 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 16A, -200V, RDS(on) = 0.300TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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