SMK630F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMK630F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMK630F

SMK630F Datasheet (PDF)

..1. Size:443K auk
smk630f.pdf

SMK630FAdvanced N-Ch Power MOSFETDC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=200V(Min.) D Low Crss : Crss=24pF(Typ.) Low gate charge : Qg=12nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=0.4(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK630F SMK630 TO-220F-3LTO-2

8.1. Size:404K auk
smk630d.pdf

SMK630DAdvanced N-Ch Power MOSFETDC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features High Voltage : BVDSS=200V(Min.) D Low Crss : Crss=24pF(Typ.) Low gate charge : Qg=12nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=0.4(Max.) Ordering Information G S Type No. Marking Package Code SMK630D SMK630 TO-252TO-252 Marking Diagram SMK Co

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: