STK830P Todos los transistores

 

STK830P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK830P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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STK830P Datasheet (PDF)

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STK830P

STK830PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830P STK830 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.17~1

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STK830P

STK830FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830F STK830 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.

 8.2. Size:465K  auk
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STK830P

STK830DSemiconductor Semiconductor Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS PIN Connection Features D High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=10pF(Typ.) D Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) G Ordering Information G D S S Type No. Marking Package Code TO-252 STK830D STK830 TO-252A

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History: IRFP4905 | IRHI7460SE | RU6050L | WMJ60N60EM | SWP630D | SIR871DP

 

 
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