SUN0460F Todos los transistores

 

SUN0460F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUN0460F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de SUN0460F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SUN0460F datasheet

 ..1. Size:516K  auk
sun0460f.pdf pdf_icon

SUN0460F

SUN0460F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0460F SUN0460 TO-

 7.1. Size:444K  auk
sun0460d.pdf pdf_icon

SUN0460F

SUN0460D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0460D SUN0460 TO

 7.2. Size:457K  auk
sun0460i2.pdf pdf_icon

SUN0460F

SUN0460I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0460I2 SUN0460 I2-PA

 8.1. Size:516K  auk
sun0465f.pdf pdf_icon

SUN0460F

SUN0465F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0465F SUN0465 TO-

Otros transistores... STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D , IRFZ24N , SUN0460I2 , SUN0465F , SUN0465I2 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F , SUN0760I2 , SUN0765F .

History: JMSL1040PGDQ | K1307

 

 

 

 

↑ Back to Top
.