SUN0760F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUN0760F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUN0760F

SUN0760F Datasheet (PDF)

..1. Size:519K auk
sun0760f.pdf

SUN0760F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.05 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0760F SUN0760 TO

7.1. Size:460K auk
sun0760i2.pdf

SUN0760I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.05 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0760I2 SUN0760 I2-P

8.1. Size:514K auk
sun0765f.pdf

SUN0765F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=5.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0765F SUN0765 TO

8.2. Size:461K auk
sun0765i2.pdf

SUN0765I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=5.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0765I2 SUN0765 I2-PA

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Liste

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