SNN3515D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN3515D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SNN3515D datasheet
snn3515d.pdf
SNN3515D N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDSS = 150V, ID = 35A Low drain-source On resistance D RDS(on) = 35m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 10A RDS(on) = 40m (Typ.) @ VGS = 6V, ID = 8A Reliable and Rugged Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter DC-DC Converter TO-2
snn3530nl.pdf
SNN3530NL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs Features S S S G 100% EAS guaranteed Max. RDS(ON)=3m at VGS=10V, ID=30A Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN3530NL F3530 TESOP-8 Marking Information Column 1 Device Code Column 2 Product
snn3530bnl.pdf
SNN3530BNL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs Features S S S G 100% E guaranteed AS Max. R =2.5m at V =10V, I =30A DS(ON) GS D Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN3530BNL F3530B TESOP-8 Marking Information Column 1 Device Code Col
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Liste
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