STK7006P Todos los transistores

 

STK7006P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK7006P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 722 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

STK7006P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  auk
 stk7006p.pdf pdf_icon

STK7006P

STK7006PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGURATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=60V(Min.) Low Crss : Crss=84pF(Typ.) Low gate charge : Qg=26.7nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=16m(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK7006P STK7006 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.1

 8.1. Size:300K  auk
 stk7002.pdf pdf_icon

STK7006P

STK7002Advanced N-Channel MOSFETHIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS Features PIN Connection Low Gate Threshold Voltage D Low Crss : Crss=2.0pF(Typ.) Voltage controlled small signal switch Low RDS(on) : RDS(on)=5(Max.) D G Ordering Information G Type No. Marking Package Code S S K702 STK7002 SOT-23 SOT-23 Marking Diagram

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History: HY3410B | IPN70R1K4P7S | AP3801GM-HF | 24NM60G-T3B-T | AP9576GH | QM3203S | IRF7353D2

 

 
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