FRM9250H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM9250H  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO204AA

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FRM9250H datasheet

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FRM9250H

FRM9250D, FRM9250R, FRM9250H 16A, -200V, 0.300 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 16A, -200V, RDS(on) = 0.300 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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FRM9250H

FRM9240D, FRM9240R, FRM9240H 7A, -200V, 0.720 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.720 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

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FRM9250H

FRM9230D, FRM9230R, FRM9230H 4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.30 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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