STJ001SF Todos los transistores

 

STJ001SF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STJ001SF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STJ001SF

 

STJ001SF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  auk
stj001sf.pdf

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STJ001SFAdvanced P-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=-20V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=-0.6~-1.4V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=88m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code J01 S STJ001SF SOT-23F SOT-23F Mar

 9.1. Size:459K  auk
stj004sf.pdf

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STJ004SFAdvanced P-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=-30V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=-0.7~-1.4V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=91m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code J04 S STJ004SF SOT-23F SOT-23F Mar

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stj009.pdf

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STJ009 P-ch Trench MOSFET Portable Equipment Application Features Low drain-source On-resistance: RDS(on)=72m (Max.) @VGS=-10V, ID=-2.7A Low gate charge: Qg=4.7nC (Typ.) High power and current handing capability RoHS compliant device SOP-8 Ordering Information Part Number Marking Code Package Packaging STJ009 STJ009 SOP-8 Tape & Reel Marking and Pin

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