STJ001SF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STJ001SF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de STJ001SF MOSFET
STJ001SF Datasheet (PDF)
stj001sf.pdf

STJ001SFAdvanced P-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=-20V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=-0.6~-1.4V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=88m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code J01 S STJ001SF SOT-23F SOT-23F Mar
stj004sf.pdf

STJ004SFAdvanced P-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=-30V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=-0.7~-1.4V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=91m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code J04 S STJ004SF SOT-23F SOT-23F Mar
stj009.pdf

STJ009 P-ch Trench MOSFET Portable Equipment Application Features Low drain-source On-resistance: RDS(on)=72m (Max.) @VGS=-10V, ID=-2.7A Low gate charge: Qg=4.7nC (Typ.) High power and current handing capability RoHS compliant device SOP-8 Ordering Information Part Number Marking Code Package Packaging STJ009 STJ009 SOP-8 Tape & Reel Marking and Pin
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History: IRFR210
History: IRFR210



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