STJ009 Todos los transistores

 

STJ009 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STJ009
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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STJ009 Datasheet (PDF)

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STJ009

STJ009 P-ch Trench MOSFET Portable Equipment Application Features Low drain-source On-resistance: RDS(on)=72m (Max.) @VGS=-10V, ID=-2.7A Low gate charge: Qg=4.7nC (Typ.) High power and current handing capability RoHS compliant device SOP-8 Ordering Information Part Number Marking Code Package Packaging STJ009 STJ009 SOP-8 Tape & Reel Marking and Pin

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STJ009

STJ004SFAdvanced P-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=-30V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=-0.7~-1.4V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=91m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code J04 S STJ004SF SOT-23F SOT-23F Mar

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 stj001sf.pdf pdf_icon

STJ009

STJ001SFAdvanced P-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=-20V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=-0.6~-1.4V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=88m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code J01 S STJ001SF SOT-23F SOT-23F Mar

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History: FDB2552F085

 

 
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