STK001SF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK001SF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK001SF
STK001SF Datasheet (PDF)
stk001sf.pdf
STK001SFAdvanced N-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=20V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=33m(Typ.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code K01 SSTK001SF SOT-23F SOT-23F Marking D
stk004sf.pdf
STK004SFAdvanced N-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=20V(Min.) Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=40m(Max.) G Ordering Information S Type No. Marking Package Code K04 STK004SF SOT-23F SOT-23F Marking Diagram
stk003sf.pdf
STK003SFAdvanced N-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=30V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=40m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code S K03 STK003SF SOT-23F SOT-23F Markin
stk003sf.pdf
STK003SFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G
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History: AO4310
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