STK001SF Todos los transistores

 

STK001SF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK001SF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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STK001SF datasheet

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STK001SF

STK001SF Advanced N-Ch Trench MOSFET PORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage BVDSS=20V(Min.) D Low VGS(th) VGS(th)=0.6 1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) RDS(on)=33m (Typ.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code K01 S STK001SF SOT-23F SOT-23F Marking D

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STK001SF

STK004SF Advanced N-Ch Trench MOSFET PORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage BVDSS=20V(Min.) Low VGS(th) VGS(th)=0.6 1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) RDS(on)=40m (Max.) G Ordering Information S Type No. Marking Package Code K04 STK004SF SOT-23F SOT-23F Marking Diagram

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STK001SF

STK003SF Advanced N-Ch Trench MOSFET PORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage BVDSS=30V(Min.) D Low VGS(th) VGS(th)=0.6 1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) RDS(on)=40m (Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code S K03 STK003SF SOT-23F SOT-23F Markin

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STK001SF

STK003SF www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G

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